SSS2N80A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSS2N80A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSS2N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS2N80A даташит

 ..1. Size:914K  samsung
 sss2n80a.pdf pdf_icon

SSS2N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 6.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 4.688 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:862K  fairchild semi
 ssp2n60b sss2n60b.pdf pdf_icon

SSS2N80A

SSP2N60B/SSS2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast swit

 9.2. Size:505K  samsung
 sss2n90a.pdf pdf_icon

SSS2N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 7.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 5.838 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Valu

 9.3. Size:507K  samsung
 sss2n60a.pdf pdf_icon

SSS2N80A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) 3.892 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Valu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSR1N60A, SSR2N60A, SSR3055A, SSR3055LA, SSS10N60A, SSS1N50A, SSS1N60A, SSS2N60A, IRFP260N, SSS2N90A, SSS3N80A, SSS3N90A, SSS4N55, SSS4N60, SSS4N60AS, SSS4N80A, SSS4N80AS