Справочник MOSFET. HY3003U

 

HY3003U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3003U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   trⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 292 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для HY3003U

 

 

HY3003U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:968K  hymexa
 hy3003d hy3003u hy3003v.pdf

HY3003U HY3003U

01233245657!"#$%&'()*& ,-.4&/0*-1(-2.3 4 5 678"9! :;9?:@ A";78"9!:;4B>9?:@ A";CDS3 E6F $GDSSGDDGG3 7 HI 7JKKSDG3 L K #M AM 8FHG6FHI97L" ?H :TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S N11O-0'(-2./3 P9M K QMRFMM"G G!"#$S*T&*-.U'.TV'*W-.UX.Y2*Z'(-2.P ^K8 [ 8_$!

 8.1. Size:648K  1
 hy3003p hy3003b.pdf

HY3003U HY3003U

HY3003P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/100ARDS(ON)= 3.5m (typ.) @ VGS=10V 100% EAS Guaranteed Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline SD Advanced high cell density Trench technology G Halogen - Free Device Available SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD High Frequency Synchronous

 9.1. Size:985K  1
 hy3007p hy3007m hy3007b hy3007ps hy3007pm.pdf

HY3003U HY3003U

HY3007P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures / 68V 120 A5.0 (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= mSDGSD Avalanche RatedGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGApplications TO-3PS-3L TO-3PM-3S Power Management for Inverter Sy

 9.2. Size:2157K  hymexa
 hy3008p hy3008m hy3008b hy3008mf hy3008pl hy3008pm.pdf

HY3003U HY3003U

HY3008P/M/B/ MF /PL/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/100ARDS(ON)= 6.6m(typ.)@VGS = 10V SDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and Rugged SDG Lead- Free Devices Available TO-220FB-3LTO-220FB-3M TO-263-2L(RoHS Compliant) Applications SD Switching applicationGSSDD Power management for inverter systems

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top