HY3008MF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HY3008MF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220MF
Аналог (замена) для HY3008MF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HY3008MF даташит
hy3008p hy3008m hy3008b hy3008mf hy3008pl hy3008pm.pdf
HY3008P/M/B/ MF /PL/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/100A RDS(ON)= 6.6m (typ.)@VGS = 10V S D G 100% Avalanche Tested S D G Reliable and Rugged S D G Lead- Free Devices Available TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L (RoHS Compliant) Applications S D Switching application G S S D D Power management for inverter systems
hy3007p hy3007m hy3007b hy3007ps hy3007pm.pdf
HY3007P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description Features / 68V 120 A 5.0 (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)= m S D G S D Avalanche Rated G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G Applications TO-3PS-3L TO-3PM-3S Power Management for Inverter Sy
hy3003p hy3003b.pdf
HY3003P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/100A RDS(ON)= 3.5m (typ.) @ VGS=10V 100% EAS Guaranteed Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline S D Advanced high cell density Trench technology G Halogen - Free Device Available S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D High Frequency Synchronous
hy3003d hy3003u hy3003v.pdf
01233245657 !"#$ %&'()*& ,-.4&/0*-1(-2. 3 4 5 6 78"9! ;9? @ A"; 78"9! ;4B>9? @ A";CD S 3 E6F $G D S S G D D G G 3 7 HI 7JKK S D G 3 L K #M AM 8FHG6FHI 97L" ?H TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S N11O-0'(-2./ 3 P9M K QMRFMM"G G !"#$ S*T&*-.U'.TV'*W-.UX.Y2*Z'(-2. P ^K 8 [ 8_$!
Другие IGBT... HY19P03P, HY19P03B, HY3003D, HY3003U, HY3003V, HY3008P, HY3008M, HY3008B, 18N50, HY3008PL, HY3008PM, HY3010P, HY3010B, HY3203C2, HY3208AP, HY3208AM, HY3208AB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249




