HY3008PL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HY3008PL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67 nC
trⓘ - Время нарастания: 39 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO3P
HY3008PL Datasheet (PDF)
hy3008p hy3008m hy3008b hy3008mf hy3008pl hy3008pm.pdf
HY3008P/M/B/ MF /PL/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/100ARDS(ON)= 6.6m(typ.)@VGS = 10V SDG 100% Avalanche Tested SDG Reliable and Rugged SDG Lead- Free Devices Available TO-220FB-3LTO-220FB-3M TO-263-2L(RoHS Compliant) Applications SD Switching applicationGSSDD Power management for inverter systems
hy3007p hy3007m hy3007b hy3007ps hy3007pm.pdf
HY3007P/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin DescriptionFeatures / 68V 120 A5.0 (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= mSDGSD Avalanche RatedGSD Reliable and RuggedGTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGApplications TO-3PS-3L TO-3PM-3S Power Management for Inverter Sy
hy3003p hy3003b.pdf
HY3003P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/100ARDS(ON)= 3.5m (typ.) @ VGS=10V 100% EAS Guaranteed Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline SD Advanced high cell density Trench technology G Halogen - Free Device Available SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD High Frequency Synchronous
hy3003d hy3003u hy3003v.pdf
01233245657!"#$%&'()*& ,-.4&/0*-1(-2.3 4 5 678"9! :;9?:@ A";78"9!:;4B>9?:@ A";CDS3 E6F $GDSSGDDGG3 7 HI 7JKKSDG3 L K #M AM 8FHG6FHI97L" ?H :TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S N11O-0'(-2./3 P9M K QMRFMM"G G!"#$S*T&*-.U'.TV'*W-.UX.Y2*Z'(-2.P ^K8 [ 8_$!
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918