Справочник MOSFET. HY3208AM

 

HY3208AM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HY3208AM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 227 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 97 nC
   Время нарастания (tr): 39 ns
   Выходная емкость (Cd): 539 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HY3208AM

 

 

HY3208AM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1032K  hymexa
hy3208ap hy3208am hy3208ab hy3208aps hy3208apm.pdf

HY3208AM
HY3208AM

HY3208AP/M/B/PS/PMN-Channel Enhancement Mode MOSFETPin Descriptioneatures F 80V/120ARDS(ON)= 5.5 m(typ.) @ VGS=10VSDGSD 100% avalanche tested GSDG Reliable and RuggedTO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)SDGSDGTO-3PS-3L TO-3PM-3SApplications Power Management for Inverter

 8.1. Size:739K  hymexa
hy3208.pdf

HY3208AM
HY3208AM

HY3208P/M/B/PS/PMAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating Unit Common Ratings (TC=25C Unless Otherwise Noted) VDSS Drain-Source Voltage 80 V VGSS Gate-Source Voltage 25 TJ Maximum Junction Temperature 175 C TSTG Storage Temperature Range 55 to 175 C -IS Diode Continuous Forward Current TC=25C 120 A Mounted on Large Heat Sink IDM Pulsed Drain Current * T

 9.1. Size:1133K  1
hy3203c2.pdf

HY3208AM
HY3208AM

HY3203C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/120AD D D D D D D DRDS(ON)= 1.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.5m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

 9.2. Size:1133K  hymexa
hy3203c2.pdf

HY3208AM
HY3208AM

HY3203C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 30V/120AD D D D D D D DRDS(ON)= 1.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 2.5m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedS S S G G S S S Halogen- Free Devices AvailablePin1 PPAK5*6-8L Applications Switching Application Power Management for DC/DCN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top