SSS4N60AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSS4N60AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34(max) nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 75(max) pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SSS4N60AS Datasheet (PDF)
sss4n60as.pdf
Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va
ssp4n60b sss4n60b.pdf
SSP4N60B/SSS4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchi
sss4n60.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS4N60Technology co.,Ltd4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SSS4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance
Другие MOSFET... SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , IRFB4110 , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , SSS4N90AS , SSS5N80A , SSS5N90A , SSS6N55 , SSS6N60 .
