Справочник MOSFET. SSS4N60AS

 

SSS4N60AS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSS4N60AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SSS4N60AS

 

 

SSS4N60AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  samsung
 sss4n60as.pdf

SSS4N60AS SSS4N60AS

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 2.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V Lower RDS(ON) : 2.037 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characteristic Va

 7.1. Size:888K  fairchild semi
 ssp4n60b sss4n60b.pdf

SSS4N60AS SSS4N60AS

SSP4N60B/SSS4N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchi

 7.2. Size:26K  samsung
 irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf

SSS4N60AS

 7.3. Size:1214K  shenzhen
 sss4n60.pdf

SSS4N60AS SSS4N60AS

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SSS4N60Technology co.,Ltd4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps 600Volts4 Amps600VoltsN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFETN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThe SSS4N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics,such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance

Другие MOSFET... SSS1N60A , SSS2N60A , SSS2N80A , SSS2N90A , SSS3N80A , SSS3N90A , SSS4N55 , SSS4N60 , IRF630 , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , SSS4N90AS , SSS5N80A , SSS5N90A , SSS6N55 , SSS6N60 .

History: SVF8NN70FJ | STD60NF55LA

 

 
Back to Top