HY4008PS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY4008PS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для HY4008PS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY4008PS даташит

 ..1. Size:4866K  hymexa
 hy4008p hy4008m hy4008b hy4008ps hy4008pm.pdf pdf_icon

HY4008PS

HY4008P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description eatures F 80V/200A RDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V S D S 100% avalanche tested D G G S D Reliable and Rugged G TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-220FB-3L TO-220FB-3M TO-263-2L TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PS-3M TO-3PS-

 8.1. Size:3615K  hymexa
 hy4008.pdf pdf_icon

HY4008PS

HY4008W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/200A RDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S D D G G TO-247-3L TO-3P-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Infor

 8.2. Size:3615K  hymexa
 hy4008w hy4008a.pdf pdf_icon

HY4008PS

HY4008W/A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 80V/200A RDS(ON)= 2.9 m (typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S S D D G G TO-247-3L TO-3P-3L Applications D Switching application Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking Infor

 8.3. Size:671K  hymexa
 hy4008b6.pdf pdf_icon

HY4008PS

HY4008B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 80V/255A RDS(ON)= 2.6m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Pin1 Switch application Brushless Motor Drive Pin2,3,5,6,7 N-Channel MOSFET Ordering and Marking Info

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HY3912W, HY3912A, HY4004P, HY4004B, HY4008B6, HY4008P, HY4008M, HY4008B, AO3400, HY4008PM, HY4306B6, HY4306P, HY4306B, HY4504B6, HY4504P, HY4504B, HY4504W