Справочник MOSFET. HYG025N06LS1P

 

HYG025N06LS1P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HYG025N06LS1P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HYG025N06LS1P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG025N06LS1P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1447K  hymexa
hyg025n06ls1p.pdfpdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N06LS1PSingle N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 60V/160ARDS(ON)= 2.5 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.7 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3LApplications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 2.1. Size:1497K  1
hyg025n06ls1c2.pdfpdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 2.2. Size:1497K  hymexa
hyg025n06ls1c2.pdfpdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 60V/170ARDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)Pin1PDFN8L5x6Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 6.1. Size:1254K  1
hyg025n04na1c2.pdfpdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N04NA1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 40V/190ARDS(ON)= 1.4m(typ.) @VGS = 10VD D D DD D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect boardSingle N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPac

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.