HYG025N06LS1P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG025N06LS1P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HYG025N06LS1P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG025N06LS1P даташит

 ..1. Size:1447K  hymexa
 hyg025n06ls1p.pdf pdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N06LS1P Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/160A RDS(ON)= 2.5 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 3.7 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application

 2.1. Size:1497K  1
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 60V/170A RDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 2.2. Size:1497K  hymexa
 hyg025n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 60V/170A RDS(ON)= 2.1 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) Pin1 PDFN8L 5x6 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous B

 6.1. Size:1254K  1
 hyg025n04na1c2.pdf pdf_icon

HYG025N06LS1P

HYG025N04NA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 40V/190A RDS(ON)= 1.4m (typ.) @VGS = 10V D D D D D D D D 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Single N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Pac

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG018N10NS1B6, HYG020N04NA1P, HYG020N04NA1B, HYG020N04NA1PL, HYG023N03LR1D, HYG023N03LR1U, HYG023N03LR1V, HYG025N06LS1C2, 12N60, HYG032N03LR1C1, HYG035N02KA1C2, HYG035N06LS1C2, HYG045N03LA1C2, HYG050N08NS1P, HYG050N08NS1B, HYG050N13NS1B6, HYG060N08NS1D