HYG035N06LS1C2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HYG035N06LS1C2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: PDFN8L
Аналог (замена) для HYG035N06LS1C2
HYG035N06LS1C2 Datasheet (PDF)
hyg035n06ls1c2.pdf

HYG035N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/90AD D D DD D D DRDS(ON)= 2.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric
hyg035n06ls1c2.pdf

HYG035N06LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 65V/90AD D D DD D D DRDS(ON)= 2.9m(typ.) @VGS = 10VRDS(ON)= 4.7m(typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableG S S SS S S GPDFN8L(5x6)Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric
hyg035n02ka1c2.pdf

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S
hyg035n02ka1c2.pdf

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S
Другие MOSFET... HYG020N04NA1PL , HYG023N03LR1D , HYG023N03LR1U , HYG023N03LR1V , HYG025N06LS1C2 , HYG025N06LS1P , HYG032N03LR1C1 , HYG035N02KA1C2 , AON7506 , HYG045N03LA1C2 , HYG050N08NS1P , HYG050N08NS1B , HYG050N13NS1B6 , HYG060N08NS1D , HYG060N08NS1U , HYG060N08NS1V , HYG060N08NS1P .
History: SST108 | IRHE7110 | SFW9540 | SI2321DS | 5N50G-TN3-R | NTMFS6D1N08H
History: SST108 | IRHE7110 | SFW9540 | SI2321DS | 5N50G-TN3-R | NTMFS6D1N08H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984