HYG035N06LS1C2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG035N06LS1C2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 65 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: PDFN8L

Аналог (замена) для HYG035N06LS1C2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG035N06LS1C2 даташит

 ..1. Size:1335K  1
 hyg035n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG035N06LS1C2

HYG035N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/90A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.9m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.7m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

 ..2. Size:1335K  hymexa
 hyg035n06ls1c2.pdf pdf_icon

HYG035N06LS1C2

HYG035N06LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 65V/90A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.9m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 4.7m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G PDFN8L(5x6) Applications Load Switch Lithium battery protect board Motor drive for electric

 6.1. Size:1055K  1
 hyg035n02ka1c2.pdf pdf_icon

HYG035N06LS1C2

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

 6.2. Size:1055K  hymexa
 hyg035n02ka1c2.pdf pdf_icon

HYG035N06LS1C2

HYG035N02KA1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 20V/95A D D D D D D D D RDS(ON)= 2.6 m (typ.) @VGS = 4.5V RDS(ON)= 3.1 m (typ.) @VGS = 2.5V RDS(ON)= 4.4 m (typ.) @VGS = 1.8V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged G S S S S S S G Halogen- Free Devices Available Pin1 PDFN8L(5x6) Applications S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG020N04NA1PL, HYG023N03LR1D, HYG023N03LR1U, HYG023N03LR1V, HYG025N06LS1C2, HYG025N06LS1P, HYG032N03LR1C1, HYG035N02KA1C2, IRFB3607, HYG045N03LA1C2, HYG050N08NS1P, HYG050N08NS1B, HYG050N13NS1B6, HYG060N08NS1D, HYG060N08NS1U, HYG060N08NS1V, HYG060N08NS1P