HYG050N08NS1B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG050N08NS1B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для HYG050N08NS1B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG050N08NS1B даташит

 ..1. Size:822K  hymexa
 hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf pdf_icon

HYG050N08NS1B

HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged D G Lead-Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan

 7.1. Size:1441K  hymexa
 hyg050n13ns1b6.pdf pdf_icon

HYG050N08NS1B

HYG050N13NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 135V/200A RDS(ON)=3.8m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply Pin1 Pin2,3,5,6,7 Ordering and Marking Informat

 9.1. Size:420K  1
 hyg053n10ns1p hyg053n10ns1b.pdf pdf_icon

HYG050N08NS1B

HYG053N10NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 100V/120A RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Battery management N-Channel MOSFET

 9.2. Size:746K  1
 hyg055n08ns1c2.pdf pdf_icon

HYG050N08NS1B

HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D D RDS(ON)=4.8 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6 8L - Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG023N03LR1V, HYG025N06LS1C2, HYG025N06LS1P, HYG032N03LR1C1, HYG035N02KA1C2, HYG035N06LS1C2, HYG045N03LA1C2, HYG050N08NS1P, CS150N03A8, HYG050N13NS1B6, HYG060N08NS1D, HYG060N08NS1U, HYG060N08NS1V, HYG060N08NS1P, HYG060N08NS1B, HYG060P04LQ1D, HYG060P04LQ1U