HYG050N08NS1B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG050N08NS1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 187.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 130 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Время нарастания (tr): 87 ns
Выходная емкость (Cd): 1770 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.005 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для HYG050N08NS1B
HYG050N08NS1B Datasheet (PDF)
hyg050n08ns1p hyg050n08ns1b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG050N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/130A RDS(ON)= 4 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Chan
hyg050n13ns1b6.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG050N13NS1B6N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 135V/200ARDS(ON)=3.8m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedPin7 Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Pin1TO-263-6LPin4Applications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyPin1Pin2,3,5,6,7Ordering and Marking Informat
hyg055n08ns1c2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG055N08NS1C2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/85A D D D D D D D DRDS(ON)=4.8 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen-Free Devices Available (RoHS Compliant) S S S G G S S SPin1 PPAK5*6 8L-Applications Switching application Power management for inverter systems Motor contr
hyg055n08ns1p hyg055n08ns1b.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HYG055N08NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 80V/120A RDS(ON)=5.3 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S Reliable and Rugged DGLead-Free and Green Devices Available S DG(RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .