HYG065N07NS1D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HYG065N07NS1D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 844 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HYG065N07NS1D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HYG065N07NS1D даташит

 ..1. Size:744K  hymexa
 hyg065n07ns1d hyg065n07ns1u hyg065n07ns1v.pdf pdf_icon

HYG065N07NS1D

HYG065N07NS1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 70V/70A RDS(ON)= 6m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested S D Reliable and Rugged S S G D D G G Halogen Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Switching application Power Management for Inverter Syste

 2.1. Size:709K  hymexa
 hyg065n07ns1p hyg065n07ns1b.pdf pdf_icon

HYG065N07NS1D

HYG065N07NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 70V/100A RDS(ON)=5.5 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Channel MOSFET

 7.1. Size:1408K  hymexa
 hyg065n15ns1p hyg065n15ns1b.pdf pdf_icon

HYG065N07NS1D

HYG065N15NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/165A RDS(ON)=6.2m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2L Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Pa

 7.2. Size:1465K  hymexa
 hyg065n15ns1b6.pdf pdf_icon

HYG065N07NS1D

HYG065N15NS1B6 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 150V/165A RDS(ON)=6.0m (typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Pin7 Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Pin1 TO-263-6L Pin4 Applications Power Switching application Uninterruptible Power Supply Pin1 Pin2,3,5,6,7 Ordering and Marking Informat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HYG060N08NS1V, HYG060N08NS1P, HYG060N08NS1B, HYG060P04LQ1D, HYG060P04LQ1U, HYG060P04LQ1V, HYG064N08NA1P, HYG064N08NA1B, 10N65, HYG065N07NS1U, HYG065N07NS1V, HYG065N07NS1P, HYG065N07NS1B, HYG065N15NS1B6, HYG065N15NS1P, HYG065N15NS1B, HYG068N08NR1P