HYG065N15NS1B6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HYG065N15NS1B6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 165 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 116.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 888 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO263-6L
Аналог (замена) для HYG065N15NS1B6
HYG065N15NS1B6 Datasheet (PDF)
hyg065n15ns1b6.pdf
HYG065N15NS1B6N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/165ARDS(ON)=6.0m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and RuggedPin7 Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Pin1TO-263-6LPin4Applications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyPin1Pin2,3,5,6,7Ordering and Marking Informat
hyg065n15ns1p hyg065n15ns1b.pdf
HYG065N15NS1P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 150V/165ARDS(ON)=6.2m(typ.) @ VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Power Switching application Uninterruptible Power SupplyN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPa
hyg065n07ns1p hyg065n07ns1b.pdf
HYG065N07NS1P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 70V/100A RDS(ON)=5.5 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead-Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-220FB-3L TO-263-2LApplications Switching application Power management for inverter systems Motor control N-Channel MOSFET
hyg065n07ns1d hyg065n07ns1u hyg065n07ns1v.pdf
HYG065N07NS1D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 70V/70A RDS(ON)= 6m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested SD Reliable and Rugged SSGDDGG Halogen Free and Green Devices Available SDG(RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3SApplications Switching application Power Management for Inverter Syste
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918