SSS6N55 - описание и поиск аналогов

 

SSS6N55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSS6N55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSS6N55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS6N55 даташит

 ..1. Size:284K  1
 sss6n55 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N55

 9.1. Size:26K  samsung
 irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N55

 9.2. Size:501K  samsung
 sss6n70a.pdf pdf_icon

SSS6N55

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 700 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) 1.552 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.3. Size:506K  samsung
 sss6n90a.pdf pdf_icon

SSS6N55

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.829 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS4N60 , SSS4N60AS , SSS4N80A , SSS4N80AS , SSS4N90A , SSS4N90AS , SSS5N80A , SSS5N90A , IRF630 , SSS6N60 , SSS6N70A , SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.