HSBA3115 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBA3115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: PRPAK5X6

Аналог (замена) для HSBA3115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBA3115 даташит

 ..1. Size:472K  1
hsba3115.pdfpdf_icon

HSBA3115

HSBA3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA3115 is the high cell density trenched P- VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 9.8 m converter applications. ID -59 A The HSBA3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 ..2. Size:472K  huashuo
hsba3115.pdfpdf_icon

HSBA3115

HSBA3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA3115 is the high cell density trenched P- VDS -30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 9.8 m converter applications. ID -59 A The HSBA3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

 9.1. Size:698K  1
hsba3050.pdfpdf_icon

HSBA3115

HSBA3050 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Applications Power Management in Desktop Computer or VDS 30 V DC/DC Converters RDS(ON),typ 3 m Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial. ID 75 A Features 100% EAS Guaranteed Green Device Available PRPAK5*6 Pin Configuration Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect

 9.2. Size:395K  1
hsba3014.pdfpdf_icon

HSBA3115

HSBA3014 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBA3014 is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 12 m synchronous buck converter applications. ID 50 A The HSBA3014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие IGBT... HSBA3050, HSBA3052, HSBA3054, HSBA3056, HSBA3058, HSBA3060, HSBA3062, HSBA3094, IRFZ44, HSBA4006, HSBA4016, HSBA4048, HSBA4052, HSBA4094, HSBA6016, HSBA6032, HSBA6040