SSS6N90A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги SSS6N90A. Основные параметры


   Наименование производителя: SSS6N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SSS6N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS6N90A даташит

 ..1. Size:506K  samsung
 sss6n90a.pdf pdf_icon

SSS6N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.829 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:284K  1
 sss6n55 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N90A

 9.2. Size:26K  samsung
 irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N90A

 9.3. Size:501K  samsung
 sss6n70a.pdf pdf_icon

SSS6N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 700 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) 1.552 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS4N90A , SSS4N90AS , SSS5N80A , SSS5N90A , SSS6N55 , SSS6N60 , SSS6N70A , SSS6N80A , STP75NF75 , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A .

History: HSH6040 | FS20VS-6

 

 
Back to Top

 


 
.