SSS6N90A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSS6N90A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSS6N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS6N90A даташит

 ..1. Size:506K  samsung
 sss6n90a.pdf pdf_icon

SSS6N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 2.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 3.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 1.829 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

 9.1. Size:284K  1
 sss6n55 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N90A

 9.2. Size:26K  samsung
 irfs8xx irfs9xxx sss4n60 sss6n60.pdf pdf_icon

SSS6N90A

 9.3. Size:501K  samsung
 sss6n70a.pdf pdf_icon

SSS6N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 700 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.8 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 4 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 700V Low RDS(ON) 1.552 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSS4N90A, SSS4N90AS, SSS5N80A, SSS5N90A, SSS6N55, SSS6N60, SSS6N70A, SSS6N80A, AON7408, SSS70N10A, SSS7N60A, SSS7N80A, SSS80N06A, SSU1N50, SSU1N50A, SSU1N60A, SSU2N60A