SSS70N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSS70N10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSS70N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS70N10A даташит

 ..1. Size:290K  1
 sss70n10a.pdf pdf_icon

SSS70N10A

Другие IGBT... SSS4N90AS, SSS5N80A, SSS5N90A, SSS6N55, SSS6N60, SSS6N70A, SSS6N80A, SSS6N90A, IRF9540N, SSS7N60A, SSS7N80A, SSS80N06A, SSU1N50, SSU1N50A, SSU1N60A, SSU2N60A, SSU3055A