HSBB4052 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSBB4052

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 193 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PRPAK3X3

Аналог (замена) для HSBB4052

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSBB4052 даташит

 ..1. Size:793K  1
 hsbb4052.pdf pdf_icon

HSBB4052

HSBB4052 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB4052 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 6.9 m converter applications. ID 43 A The HSBB4052 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 ..2. Size:793K  huashuo
 hsbb4052.pdf pdf_icon

HSBB4052

HSBB4052 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSBB4052 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 6.9 m converter applications. ID 43 A The HSBB4052 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 8.1. Size:763K  1
 hsbb4062.pdf pdf_icon

HSBB4052

HSBB4062 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Features Product Summary Advanced Trench MOS Technology VDS 40 V Low Gate Charge RDS(ON),typ 12.5 m 100% EAS Guaranteed Green Device Available ID 33 A Applications Power Management Functions PRPAK3*3 Pin Configuration DC-DC Converters. Backlighting. Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Ra

 8.2. Size:616K  1
 hsbb4016.pdf pdf_icon

HSBB4052

HSBB4016 Description Product Summary The HSBB4016 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 4.9 m converter applications. ID 40 A The HSBB4016 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability approved. PRPAK3x3 Pin Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSBB3058, HSBB3060, HSBB3062, HSBB3103, HSBB3105, HSBB3115, HSBB3214, HSBB4016, SPP20N60C3, HSBB4062, HSBB4115, HSBB6056, HSBB6066, HSBB6115, HSBB8008, HSBE2730, HSBE2738