HSH150N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSH150N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HSH150N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSH150N04 даташит

 ..1. Size:588K  huashuo
 hsh150n04.pdf pdf_icon

HSH150N04

HSH150N04 N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSH150N04 is the high cell density trenched VDS 40 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),TYP 3 m converter applications. ID 150 A The HSH150N04 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function r

 9.1. Size:809K  huashuo
 hsh15810.pdf pdf_icon

HSH150N04

HSH15810 N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs Product Summary General Description VDS 100 V 100% EAS Guaranteed Green Device Available RDS(ON),typ 3.7 m Super Low RDS(ON) Advanced high cell density Trench ID 120 A technology TO263 Pin Configuration Applications MOTOR Driver. BMS. High frequency switching and synchronous rectification.

Другие IGBT... HSCE2631, HSCE6032, HSCS2050, HSCS2052, HSD6004, HSD6016, HSF10N65, HSH120N85, STF13NM60N, HSH15810, HSH190N03, HSH200N02, HSH250N10, HSH3024, HSH6024A, HSH6040, HSH6115