SSU1N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSU1N60A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
Тип корпуса: IPAK
Аналог (замена) для SSU1N60A
SSU1N60A Datasheet (PDF)
ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf
November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to
ssu1n50b.pdf
April 2014SSU1N50B520V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching
Другие MOSFET... SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , 8205A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMPL1050PU | JMPL1050PK | JMPL1050PG | JMPL1050AY | JMPL1050AUQ | JMPL1050AU | JMPL1050APD | JMPL1050AP | JMPL1050AKQ | JMPL1050AK | JMPL1050AGQ | JMPL1050AG | JMPL1050AE | JMPF8N60BJ | JMPF840BJ | JMPF7N65BJ
Popular searches
2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817