Справочник MOSFET. SSU1N60A

 

SSU1N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSU1N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU1N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N60A

 7.1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSU1N60A

November 2001SSR1N60B / SSU1N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N60A

 9.2. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N60A

April 2014SSU1N50B520V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC)planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 60N05 | YJS3404A | IPD50R280CE | BUK961R4-30E | ZXMN6A07F | NDT6N70 | VTI640

 

 
Back to Top

 


 
.