SSU1N60A - описание и поиск аналогов

 

SSU1N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSU1N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для SSU1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSU1N60A даташит

 ..1. Size:196K  1
 ssu1n60a ssr1n60a.pdf pdf_icon

SSU1N60A

 7.1. Size:678K  fairchild semi
 ssr1n60b ssr1n60btm ssu1n60b.pdf pdf_icon

SSU1N60A

November 2001 SSR1N60B / SSU1N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 0.9A, 600V, RDS(on) = 12 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 5.9 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.6 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 9.1. Size:197K  1
 ssu1n50a ssr1n50a.pdf pdf_icon

SSU1N60A

 9.2. Size:688K  fairchild semi
 ssu1n50b.pdf pdf_icon

SSU1N60A

April 2014 SSU1N50B 520V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.3A, 520V, RDS(on) = 5.3 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low Gate Charge (Typ. 8.3 nC) planar, DMOS technology. Low Crss (Typ. 5.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast Switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS6N80A , SSS6N90A , SSS70N10A , SSS7N60A , SSS7N80A , SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , IRFP260 , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.