HSM3107 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSM3107

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для HSM3107

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSM3107 даташит

 ..1. Size:444K  huashuo
 hsm3107.pdf pdf_icon

HSM3107

HSM3107 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM3107 is the high cell density trenched P- V -30 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 42 m DS(ON),typ converter applications. I -5 A D The HSM3107 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.

 9.1. Size:2124K  huashuo
 hsm3115.pdf pdf_icon

HSM3107

HSM3115 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS -30 V The HSM3115 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 8.7 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -14 A The HSM3115 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

Другие IGBT... HSM20N02, HSM2202, HSM24P03, HSM2627, HSM2903, HSM3002, HSM3006, HSM3056, IRF540, HSM3115, HSM3202, HSM3206, HSM3214, HSM3303, HSM3305, HSM3903, HSM4002