Справочник MOSFET. SSW1N60A

 

SSW1N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW1N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW1N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW1N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:220K  1
 ssi1n60a ssw1n60a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

 ..2. Size:503K  samsung
 ssw1n60a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V2 Low RDS(ON) : 9.390 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characte

 9.1. Size:293K  1
 ssi1n50a ssw1n50a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw1n50a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V2 Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , TK10A60D , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS .

History: STM4439A | FDS9926A

 

 
Back to Top

 


 
.