SSW1N60A - описание и поиск аналогов

 

SSW1N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSW1N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SSW1N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW1N60A даташит

 ..1. Size:220K  1
 ssi1n60a ssw1n60a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

 ..2. Size:503K  samsung
 ssw1n60a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 12 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V 2 Low RDS(ON) 9.390 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

 9.1. Size:293K  1
 ssi1n50a ssw1n50a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

 9.2. Size:503K  samsung
 ssw1n50a.pdf pdf_icon

SSW1N60A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5.5 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 1.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V 2 Lower RDS(ON) 4.046 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Ch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSS80N06A , SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , 13N50 , SSW2N60A , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.