Справочник MOSFET. SSW2N60A

 

SSW2N60A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW2N60A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW2N60A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW2N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N60A

 ..2. Size:509K  samsung
 ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N60A

Advanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 600 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 5.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ VDS = 600V2 Lower RDS(ON) : 3.892 (Typ.)112331. Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Chara

 7.1. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N60A

November 2001SSW2N60B / SSI2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

 7.2. Size:648K  fairchild semi
 ssw2n60b ssi2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N60A

November 2001SSW2N60B / SSI2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , RFP50N06 , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A .

History: BUP67

 

 
Back to Top

 


 
.