SSW2N60A - описание и поиск аналогов

 

SSW2N60A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSW2N60A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для SSW2N60A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW2N60A даташит

 ..1. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N60A

 ..2. Size:509K  samsung
 ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSW2N60A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 600 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 5.0 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 600V 2 Lower RDS(ON) 3.892 (Typ.) 1 1 2 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Chara

 7.1. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N60A

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

 7.2. Size:648K  fairchild semi
 ssw2n60b ssi2n60b.pdf pdf_icon

SSW2N60A

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSU1N50 , SSU1N50A , SSU1N60A , SSU2N60A , SSU3055A , SSU3055LA , SSW1N50A , SSW1N60A , AON7410 , SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A .

History: STM4605

 

 

 


 
↑ Back to Top
.