HSS2N7002K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSS2N7002K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HSS2N7002K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSS2N7002K даташит

 ..1. Size:1899K  huashuo
 hss2n7002k.pdf pdf_icon

HSS2N7002K

HSS2N7002K N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V We declare that the material of product compliance with Rohs requirements and RDS(ON),max 2 Halogen Free. ESD protected ID 0.3 A Low RDS(on) SOT23 Pin Configuration l Low side load switch l Level shift circutis l DC-DC converter l Portable applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone,

Другие IGBT... HSS2307, HSS2307A, HSS2308A, HSS2310A, HSS2312A, HSS2319, HSS2333, HSS2607, 7N60, HSS2P10, HSS3400A, HSS3401A, HSS3402A, HSS3404A, HSS3407A, HSS3409A, HSS3414A