HSS2N7002K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HSS2N7002K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1 nC
Время нарастания (tr): 2.5 ns
Выходная емкость (Cd): 5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для HSS2N7002K
HSS2N7002K Datasheet (PDF)
..1. Size:1899K huashuo
hss2n7002k.pdf
hss2n7002k.pdf
HSS2N7002K N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V We declare that the material of product compliance with Rohs requirements and RDS(ON),max 2 Halogen Free. ESD protected ID 0.3 A Low RDS(on) SOT23 Pin Configuration l Low side load switch l Level shift circutis l DC-DC converter l Portable applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone,
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
