Справочник MOSFET. HSS2N7002K

 

HSS2N7002K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HSS2N7002K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для HSS2N7002K

 

 

HSS2N7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1899K  huashuo
 hss2n7002k.pdf

HSS2N7002K HSS2N7002K

HSS2N7002K N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS 60 V We declare that the material of product compliance with Rohs requirements and RDS(ON),max 2 Halogen Free. ESD protected ID 0.3 A Low RDS(on) SOT23 Pin Configuration l Low side load switch l Level shift circutis l DC-DC converter l Portable applications i.e. DSC, PDA, Cell Phone,

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: N0301N

 

 
Back to Top