Справочник MOSFET. SSW4N90A

 

SSW4N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW4N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  1
 ssi4n90a ssw4n90a.pdf pdf_icon

SSW4N90A

 0.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf pdf_icon

SSW4N90A

 9.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSW4N90A

 9.2. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf pdf_icon

SSW4N90A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXFV18N90PS | IPB117N20NFD | 2SK3479-Z | AP55T10GH-HF | 2SK610 | 2SK2525-01 | SJMN1K6R70D

 

 
Back to Top

 


 
.