Справочник MOSFET. SSW4N90A

 

SSW4N90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW4N90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW4N90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4N90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  1
 ssi4n90a ssw4n90a.pdf pdf_icon

SSW4N90A

 0.1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf pdf_icon

SSW4N90A

 9.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSW4N90A

 9.2. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf pdf_icon

SSW4N90A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDMA530PZ | FQI5N60C

 

 
Back to Top

 


 
.