HSU3016. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU3016

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU3016

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU3016 даташит

 ..1. Size:2270K  huashuo
 hsu3016.pdf pdf_icon

HSU3016

HSU3016 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU3016 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 4 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 96 A The HSU3016 meet the RoHS and Green Product requirement 100% EAS guaranteed with full function reliability

 8.1. Size:695K  huashuo
 hsu3018b.pdf pdf_icon

HSU3016

HSU3018B N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description The HSU3018B is the high cell density trenched VDS 30 V N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous RDS(ON),max 2.4 m buck converter applications. ID 110 A The HSU3018B meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

 8.2. Size:2272K  huashuo
 hsu3014.pdf pdf_icon

HSU3016

HSU3014 N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU3014 is the high cell density trenched N- VDS 30 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 12 m converter applications. ID 43 A The HSU3014 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabilit

 9.1. Size:2447K  huashuo
 hsu3031.pdf pdf_icon

HSU3016

HSU3031 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU3031 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),max 7.2 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -70 A The HSU3031 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSU1241, HSU12N10, HSU150N03, HSU16N25, HSU18N20, HSU20N15A, HSU3006, HSU3014, AON6414A, HSU3018B, HSU3031, HSU3103, HSU3903, HSU4004, HSU4006, HSU4016, HSU4094