Справочник MOSFET. SSW4N90AS

 

SSW4N90AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSW4N90AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.7 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SSW4N90AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSW4N90AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  1
 ssi4n90as ssw4n90as.pdf pdf_icon

SSW4N90AS

 6.1. Size:181K  1
 ssi4n90a ssw4n90a.pdf pdf_icon

SSW4N90AS

 9.1. Size:183K  1
 ssi4n80as ssw4n80as.pdf pdf_icon

SSW4N90AS

 9.2. Size:184K  1
 ssi4n80a ssw4n80a.pdf pdf_icon

SSW4N90AS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSW2N80A , SSW2N90A , SSW3N80A , SSW3N90A , SSW4N60A , SSW4N80A , SSW4N80AS , SSW4N90A , IRFP250 , SSW5N80A , SSW5N90A , SSW6N70A , SSW7N60A , STD10N10-1 , STD10N10L-1 , STD10N10LT4 , STD10N10T4 .

History: FRM9130R | APT20M38BVFR | 3LN01C | IXTP1R6N50D2 | IRL610A | IXTP15N30MA | 1115

 

 
Back to Top

 


 
.