HSU6006. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU6006

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU6006

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU6006 даташит

 ..1. Size:469K  huashuo
 hsu6006.pdf pdf_icon

HSU6006

HSU6006 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 60 V The HSU6006 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDS(ON),max 20 m RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 35 A The HSU6006 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabilit

 8.1. Size:494K  huashuo
 hsu6004.pdf pdf_icon

HSU6006

HSU6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DS The HSU6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),max RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A D The HSU6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 8.2. Size:700K  huashuo
 hsu6008.pdf pdf_icon

HSU6006

HSU6008 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description V 60 V DS The HSU6008 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provides excellent RDSON R 100 m DS(ON),max and efficiency for most of the small power switching and load switch applications. I 10 A D The HSU6008 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability a

 8.3. Size:626K  huashuo
 hsu6002.pdf pdf_icon

HSU6006

HSU6002 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6002 is the high cell density trenched N- V 60 V DS ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck R 70 m DS(ON),max converter applications. I 17 A D The HSU6002 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HSU4016, HSU4094, HSU4103, HSU4113, HSU4115, HSU4903, HSU6002, HSU6004, IRLB4132, HSU6008, HSU6014, HSU6032, HSU6040, HSU60N02, HSU60P02, HSU60P03, HSU6113