HSU6032. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HSU6032

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 201 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HSU6032

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HSU6032 даташит

 ..1. Size:2407K  huashuo
hsu6032.pdfpdf_icon

HSU6032

HSU6032 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSU6032 is the high cell density trenched N- VDS 60 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),max 8.5 m converter applications. ID 75 A The HSU6032 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabili

 9.1. Size:494K  huashuo
hsu6004.pdfpdf_icon

HSU6032

HSU6004 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary V 60 V DS The HSU6004 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent R 30 m DS(ON),max RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. I 23 A D The HSU6004 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reli

 9.2. Size:1455K  huashuo
hsu60n02.pdfpdf_icon

HSU6032

HSU60N02 N-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary VDS 20 V The HSU60N02 is the high cell density trenched N- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 4 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID 60 A The HSU60N02 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function reliabil

 9.3. Size:477K  huashuo
hsu60p03.pdfpdf_icon

HSU6032

HSU60P03 P-Ch 30V Fast Switching MOSFETs Product Summary Description VDS -30 V The HSU60P03 is the high cell density trenched P- ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and RDS(ON),typ 7.5 m gate charge for most of the synchronous buck converter applications. ID -60 A The HSU60P03 meet the RoHS and Green Product requirement, 100% EAS guaranteed with full function re

Другие IGBT... HSU4113, HSU4115, HSU4903, HSU6002, HSU6004, HSU6006, HSU6008, HSU6014, IRFP260, HSU6040, HSU60N02, HSU60P02, HSU60P03, HSU6113, HSU6115, HSU6901, HSU6903