Справочник MOSFET. SVF3878PN

 

SVF3878PN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF3878PN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 67.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.28 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF3878PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  silan
svf3878pn.pdfpdf_icon

SVF3878PN

SVF3878PN 9A900V N SVF3878PN N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:370K  silan
svf3878p7.pdfpdf_icon

SVF3878PN

SVF3878P7 9A900V N 2SVF3878P7 N MOS F-CellTM VDMOS 1 AC-DC

 7.1. Size:349K  silan
svf3878ap7.pdfpdf_icon

SVF3878PN

SVF3878AP7 9A900V N 2. SVF3878AP7 N MOS F-CellTM VDMOS 1.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN10A07FTC

 

 
Back to Top

 


 
.