Справочник MOSFET. SVF3N80M

 

SVF3N80M MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF3N80M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30.53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251D

 Аналог (замена) для SVF3N80M

 

 

SVF3N80M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf

SVF3N80M
SVF3N80M

SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC

 9.1. Size:376K  silan
svf3n65vfj.pdf

SVF3N80M
SVF3N80M

SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top