SVF3N80T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF3N80T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 30.53 ns
Выходная емкость (Cd): 42.7 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO220
SVF3N80T Datasheet (PDF)
..1. Size:620K silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf
SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC
9.1. Size:376K silan
svf3n65vfj.pdf
svf3n65vfj.pdf
SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .