Справочник MOSFET. SVF3N80T

 

SVF3N80T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVF3N80T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 30.53 ns
   Выходная емкость (Cd): 42.7 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVF3N80T

 

 

SVF3N80T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:620K  silan
svf3n80m svf3n80mj svf3n80f svf3n80d svf3n80t.pdf

SVF3N80T SVF3N80T

SVF3N80M/MJ/F/D 3A800V N SVF3N80M/MJ/F/D NMOSF-CellTMVDMOS AC-DC

 9.1. Size:376K  silan
svf3n65vfj.pdf

SVF3N80T SVF3N80T

SVF3N65VFJ 5A650V N 2SVF3N65VFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top