SVF4N60T - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SVF4N60T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SVF4N60T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SVF4N60T

SVF4N60T Datasheet (PDF)

..1. Size:800K silan
svf4n60d svf4n60f svf4n60t svf4n60m.pdf

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS

..2. Size:479K silan
svf4n60f svf4n60t svf4n60dtr svf4n60m.pdf

SVF4N60D/F/T/M 4A600V N 2SVF4N60D/F/T/M N MOS F-CellTM VDMOS 113TO-252-2L3

7.1. Size:801K 1
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

7.2. Size:473K silan
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cat svf4n60cadtr svf4n60camn svf4n60camj.pdf