SVF6N60D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVF6N60D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42.67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SVF6N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF6N60D даташит

 ..1. Size:547K  silan
 svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf pdf_icon

SVF6N60D

SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

 0.1. Size:452K  silan
 svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf pdf_icon

SVF6N60D

SVF6N60F/D/FQ 6A 600V N 2 SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

 9.1. Size:344K  silan
 svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf pdf_icon

SVF6N60D

 9.2. Size:316K  silan
 svf6n70f.pdf pdf_icon

SVF6N60D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF4N65RMJ, SVF4N65RF, SVF4N65RT, SVF5N60K, SVF5N65D, SVF5N65F, SVF6N60MJ, SVF6N60F, 60N06, SVF6N70F, SVF740MJ, SVF7N60CF, SVF7N60CS, SVF7N60CK, SVF7N60CMJ, SVF7N60CD, SVF7N60CT