SVF7N65CK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF7N65CK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 98 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO262
SVF7N65CK Datasheet (PDF)
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65cs svf7n65cfq.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ 7A650V N SVF7N65CF/D/MJ/K/S/FQ N MOS F-CellTM VDMOS
svf7n65cf svf7n65cd svf7n65cmj svf7n65ck svf7n65ct.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/K/T 7A650V N 2SVF7N65CF/D/MJ/K/T N MOS 1 F-CellTM VDMOS 123 TO-262-3L3
svf7n65cf svf7n65cdtr svf7n65cmj svf7n65cmjl svf7n65ck svf7n65ct.pdf
SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T 7A650V N 2 1SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T N MOS 231 F-CellTM VDMOS TO-262-3L3 12
svf7n65f svf7n65s svf7n65str svf7n65t.pdf
SVF7N65T/F/S 7A650V N 2 SVF7N65T/F/S N MOS 1 F-CellTM VDMOS 31. 2. 3.
svf7n65t svf7n65f svf7n65s.pdf
SVF7N65T/F/S 7A650V N SVF7N65T/F/S N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
svf7n65f-t.pdf
SVF7N65T/F_Datasheet 7A, 650V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF7N65T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
