SVF840F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF840F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14.7 nC
Время нарастания (tr): 59.6 ns
Выходная емкость (Cd): 120 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SVF840F Datasheet (PDF)
..1. Size:758K silan
svf840f svf840d svf840s svf840mj.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svf840f svf840d svf840s svf840mj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVF840F/D/S/MJ 8A500V N SVF840F/D/S/MJ N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .