SVS20N60SD2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVS20N60SD2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVS20N60SD2
SVS20N60SD2 Datasheet (PDF)
..1. Size:472K silan
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2 svs20n60fd2.pdf
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2 svs20n60fd2.pdf
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 20A, 600V MOS 2 12 1SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)(F)D2 N 2331 TO-220F-3LTO-262-3LMOSFET MOS 31
..2. Size:460K silan
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2.pdf
svs20n60fjd2 svs20n60kd2 svs20n60td2 svs20n60pnd2 svs20n60sd2 svs20n60sd2tr svs20n60p7d2.pdf
SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 20A, 600V DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 N MOSFET DP MOS SVS20N60FJ(K)(T)(PN)(S)(P7)D2 /
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918