IXFK80N65X2 - описание и поиск аналогов

 

IXFK80N65X2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFK80N65X2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5010 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO264P

Аналог (замена) для IXFK80N65X2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFK80N65X2 даташит

 ..1. Size:211K  ixys
ixfh80n65x2 ixfk80n65x2.pdfpdf_icon

IXFK80N65X2

 7.1. Size:100K  ixys
ixfk72n20 ixfk80n20.pdfpdf_icon

IXFK80N65X2

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK72N20 200 V 72 A 35 mW Power MOSFETs IXFK80N20 200 V 80 A 30 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V G VGS Continuous 20 V (TAB) D S VGSM Transient 30 V ID25

 7.2. Size:70K  ixys
ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdfpdf_icon

IXFK80N65X2

IXFH 80N20Q HiPerFETTM VDSS = 200 V IXFK 80N20Q Power MOSFETs ID25 = 80 A IXFT 80N20Q Q-Class RDS(on) = 28 mW trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 200 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transi

 7.3. Size:230K  ixys
ixfk80n50p ixfx80n50p.pdfpdf_icon

IXFK80N65X2

IXFK 80N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFX 80N50P ID25 = 80 A Power MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSM Transient

Другие MOSFET... IXFA18N65X2 , IXFA60N25X3 , IXFA80N25X3 , IXFH18N65X2 , IXFH40N85X , IXFH50N85X , IXFH90N20X3 , IXFK50N85X , IRF1010E , IXFP34N65X2M , IXFP60N25X3 , IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.