IXFK80N65X2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFK80N65X2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 140 nC
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5010 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: TO264P
Аналог (замена) для IXFK80N65X2
IXFK80N65X2 Datasheet (PDF)
ixfh80n65x2 ixfk80n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFH80N65X2Power MOSFET ID25 = 80AIXFK80N65X2 RDS(on) 38m TO-247 (IXFH)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGDSD (Tab)TO-264P (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous
ixfk72n20 ixfk80n20.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK72N20 200 V 72 A 35 mWPower MOSFETsIXFK80N20 200 V 80 A 30 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 VGVGS Continuous 20 V(TAB)DSVGSM Transient 30 VID25
ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf
IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi
ixfk80n50p ixfx80n50p.pdf
IXFK 80N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 80N50P ID25 = 80 APower MOSFET RDS(on) 65 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100