Справочник MOSFET. IXTH240N15X4

 

IXTH240N15X4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTH240N15X4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 240 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXTH240N15X4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTH240N15X4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:337K  ixys
ixtt240n15x4hv ixth240n15x4.pdfpdf_icon

IXTH240N15X4

Advance Technical InformationX4-Class VDSS = 150VIXTT240N15X4HVPower MOSFETTM ID25 = 240AIXTH240N15X4 RDS(on) 4.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXTT..HV)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 175C 150 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 150 VTO-247 (IXTH)VGSS Cont

 6.1. Size:204K  ixys
ixth240n055t ixtq240n055t.pdfpdf_icon

IXTH240N15X4

Preliminary Technical InformationIXTH240N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTQ240N055T ID25 = 240 APower MOSFET RDS(on) 3.6 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 (IXTH)VDSS TJ = 25 C to 175 C55 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VID25 TC = 25 C 240

 8.1. Size:108K  ixys
ixth21n50 ixth24n50 ixtm21n50 ixtm24n50.pdfpdf_icon

IXTH240N15X4

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 21N50 500 V 21 A 0.25 IXTH / IXTM 24N50 500 V 24 A 0.23 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 21N50 21 A

 9.1. Size:202K  ixys
ixth2n300p3hv ixtt2n300p3hv.pdfpdf_icon

IXTH240N15X4

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 3000VIXTT2N300P3HVPower MOSFETID25 = 2AIXTH2N300P3HV RDS(on) 21 TO-268HV (IXTT)N-Channel Enhancement ModeGS D (Tab)TO-247HV (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 3000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 3000 VVGSS Continuous 20 VV

Другие MOSFET... IXFP80N25X3 , IXFP90N20X3 , IXFQ60N25X3 , IXFQ80N25X3 , IXFQ90N20X3 , IXFT40N85XHV , IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , 18N50 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P , BF2040 , BF2040R , BF2040W , BSC007N04LS6 .

History: TPD60R330M | 2SK2821 | FQB34N20TMAM002 | FQD19N10TM | AP70SL380AS | P0460EDA | 2SK1838S

 

 
Back to Top

 


 
.