BF2040R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BF2040R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.04 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 1.6 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 27 Ohm
Тип корпуса: SOT143R
Аналог (замена) для BF2040R
BF2040R Datasheet (PDF)
bf2040 bf2040r bf2040w.pdf

BF2040...Silicon N-Channel MOSFET Tetrode For low noise , high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 5 V Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution!Type Package Pin Configuration MarkingBF2040 SOT143 1=S 2=D 3=G2 4=G1 - - NFs BF2040R SOT143R 1=D 2=S 3
Другие MOSFET... IXFT50N85XHV , IXFH80N25X3 , IXTH240N15X4 , IXTP34N65X2 , IXTT240N15X4HV , AIMW120R045M1 , AUIRLS8409-7P , BF2040 , 13N50 , BF2040W , BSC007N04LS6 , BSC010N04LS6 , BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC , BSC015NE2LS5I , BSC016N06NST .
History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU | CEB6060N | FTK60P05S
History: CJ3139KDW | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | APM4012NU | CEB6060N | FTK60P05S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor