Справочник MOSFET. BSC027N06LS5

 

BSC027N06LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC027N06LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC027N06LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1333K  infineon
bsc027n06ls5.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

BSC027N06LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according to IEC61249-2-

 6.1. Size:376K  infineon
bsc027n04lsg.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

BSC027N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 2.7mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 7.1. Size:831K  infineon
bsc027n10ns5.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

BSC027N10NS5MOSFETTSON-8-3OptiMOSTM Power-Transistor, 100 V8756 6Features 758 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.Pin 1 100% avalanche tested2433 Superior thermal resistance4 21 N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 175C ratedProduct Validation:Qualified fo

 9.1. Size:437K  infineon
bsc028n06ns.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

TypeBSC028N06NSOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.8 mW 100% avalanche testedID 100 A Superior thermal resistanceQoss 43 nC N-channelQG(0..10V) 37 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.