Справочник MOSFET. BSC027N06LS5

 

BSC027N06LS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC027N06LS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSO8
 

 Аналог (замена) для BSC027N06LS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC027N06LS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1333K  infineon
bsc027n06ls5.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

BSC027N06LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according to IEC61249-2-

 6.1. Size:376K  infineon
bsc027n04lsg.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

BSC027N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 2.7mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 7.1. Size:831K  infineon
bsc027n10ns5.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

BSC027N10NS5MOSFETTSON-8-3OptiMOSTM Power-Transistor, 100 V8756 6Features 758 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.Pin 1 100% avalanche tested2433 Superior thermal resistance4 21 N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 175C ratedProduct Validation:Qualified fo

 9.1. Size:437K  infineon
bsc028n06ns.pdfpdf_icon

BSC027N06LS5

TypeBSC028N06NSOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.8 mW 100% avalanche testedID 100 A Superior thermal resistanceQoss 43 nC N-channelQG(0..10V) 37 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge

Другие MOSFET... BSC010N04LS6 , BSC010N04LST , BSC011N03LST , BSC014N06NSSC , BSC015NE2LS5I , BSC016N06NST , BSC021N08NS5 , BSC022N04LS6 , K2611 , BSC034N10LS5 , BSC0402NS , BSC040N10NS5SC , BSC0501NSI , BSC0502NSI , BSC0503NSI , BSC0504NSI , BSC050N10NS5 .

History: CHM4559JGP | RFH25P10 | IXTK17N120L | P0460ED | AP4800BGM-HF | BUK9614-60E | ZXM62N03G

 

 
Back to Top

 


 
.