BSZ300N15NS5 - описание и поиск аналогов

 

BSZ300N15NS5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSZ300N15NS5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSDSON-8

Аналог (замена) для BSZ300N15NS5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ300N15NS5 даташит

 ..1. Size:1624K  infineon
 bsz300n15ns5.pdf pdf_icon

BSZ300N15NS5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOS 5 Power-Transistor, 150 V BSZ300N15NS5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOS 5 Power-Transistor, 150 V BSZ300N15NS5 TSDSON-8 FL 1 Description (enlarged source interconnection) Features Ideal for high frequency switching and synchronous rectification Optimized technol

Другие MOSFET... BSZ063N04LS6 , BSZ065N06LS5 , BSZ0703LS , BSZ070N08LS5 , BSZ0909ND , BSZ0994NS , BSZ099N06LS5 , BSZ146N10LS5 , 2N7002 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , IAUS180N04S4N015 , IMW120R030M1H , IMW120R045M1 , IMW120R060M1H .

History: G5N50T | SI2392ADS | ASDM3400 | BSC200P03LSG | ME4925 | AP3010 | FDB0690N1507L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.