IMW120R030M1H - описание и поиск аналогов

 

IMW120R030M1H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IMW120R030M1H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 23 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 116 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IMW120R030M1H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IMW120R030M1H даташит

 ..1. Size:1126K  infineon
 imw120r030m1h.pdf pdf_icon

IMW120R030M1H

IMW120R030M1H IMW120R030M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Drain pin 2 Features Gate Very low switching losses pin 1 Threshold-free on state characteristic Source Wide gate-source voltage range pin 3 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive Fully control

 6.1. Size:1124K  infineon
 imw120r060m1h.pdf pdf_icon

IMW120R030M1H

IMW120R060M1H IMW120R060M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Drain pin 2 Features Gate Very low switching losses pin 1 Threshold-free on state characteristic Source Wide gate-source voltage range pin 3 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive Fully control

 6.2. Size:1125K  infineon
 imw120r090m1h.pdf pdf_icon

IMW120R030M1H

IMW120R090M1H IMW120R090M1H CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Drain pin 2 Features Gate Very low switching losses pin 1 Threshold-free on state characteristic Source Wide gate-source voltage range pin 3 Benchmark gate threshold voltage, V = 4.5V GS(th) 0V turn-off gate voltage for easy and simple gate drive Fully control

 6.3. Size:1365K  infineon
 aimw120r045m1.pdf pdf_icon

IMW120R030M1H

AIMW120R045M1 AIMW120R045M1 CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET Features Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide Very low switching losses Threshold-free on state characteristic IGBT-compatible driving voltage (15V for turn-on) 0V turn-off gate voltage Benchmark gate threshold voltage, V =4.5V GS(th) Fully c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSZ099N06LS5 , BSZ146N10LS5 , BSZ300N15NS5 , BTS247Z , IAUC100N10S5N040 , IAUC120N04S6L008 , IAUC120N04S6N009 , IAUS180N04S4N015 , IRFP260 , IMW120R045M1 , IMW120R060M1H , IMW120R090M1H , IMW120R140M1H , IMW120R220M1H , IMW120R350M1H , IMW65R027M1H , IMW65R048M1H .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.