Справочник MOSFET. STD15N06LT4

 

STD15N06LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD15N06LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD15N06LT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD15N06LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:140K  1
std15n06l std15n06l-1 std15n06lt4.pdfpdf_icon

STD15N06LT4

STD15N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD15N06L 60 V

 6.1. Size:506K  1
std15n06 std15n06-1 std15n06t4.pdfpdf_icon

STD15N06LT4

 6.2. Size:168K  st
std15n06-.pdfpdf_icon

STD15N06LT4

STD15N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD15N06 60 V

 8.1. Size:331K  st
std15nf10.pdfpdf_icon

STD15N06LT4

STD15NF10N-channel 100 V, 0.060 , 23 A, DPAKlow gate charge STripFET II Power MOSFETFeaturesVDSSS RDS(on) max IDTypeSTD15NF10 100 V

Другие MOSFET... STD12N06 , STD12N06-1 , STD12N06L , STD12N06L-1 , STD12N06LT4 , STD12N06T4 , STD15N06-1 , STD15N06L-1 , AO3401 , STD15N06T4 , STD17N05 , STD17N05-1 , STD17N05L , STD17N05L-1 , STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 .

 

 
Back to Top

 


 
.