2SK1953. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1953

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK1953

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1953 даташит

 ..1. Size:412K  1
2sk1953.pdfpdf_icon

2SK1953

 8.1. Size:60K  1
2sk1958.pdfpdf_icon

2SK1953

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK1958 N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK1958 is an N-channel vertical MOS FET. Because PACKAGE DIMENSIONS (in mm) it can be driven by a voltage as low as 1.5 V and it is not 2.1 0.1 necessary to consider a drive current, this FET is ideal as an 1.25 0.1 actuator for low-current portable systems such as headphone stereos and

 8.3. Size:81K  renesas
2sk1957.pdfpdf_icon

2SK1953

2SK1957 Silicon N Channel MOS FET REJ03G0988-0200 (Previous ADE-208-1336) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Application High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter, motor control Outline RENESAS Package code PRSS0003AD-A (Package name

Другие IGBT... 2SK1824, 2SK1850, 2SK1851, 2SK1852, 2SK1853, 2SK1917-MR, 2SK193, 2SK195, IRF3710, 2SK1954, 2SK1958, 2SK1959, 2SK1960, 2SK1988, 2SK1989, 2SK1990, 2SK1991