Справочник MOSFET. STD17N05LT4

 

STD17N05LT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD17N05LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
   Время нарастания (tr): 350 ns
   Выходная емкость (Cd): 250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD17N05LT4

 

 

STD17N05LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  1
std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf

STD17N05LT4
STD17N05LT4

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 5.1. Size:350K  st
std17n05l std17n06l.pdf

STD17N05LT4
STD17N05LT4

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 6.1. Size:180K  1
std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf

STD17N05LT4
STD17N05LT4

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 6.2. Size:180K  st
std17n05.pdf

STD17N05LT4
STD17N05LT4

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top