Справочник MOSFET. BSC027N10NS5

 

BSC027N10NS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC027N10NS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TSON-8-3
 

 Аналог (замена) для BSC027N10NS5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC027N10NS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:831K  infineon
bsc027n10ns5.pdfpdf_icon

BSC027N10NS5

BSC027N10NS5MOSFETTSON-8-3OptiMOSTM Power-Transistor, 100 V8756 6Features 758 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.Pin 1 100% avalanche tested2433 Superior thermal resistance4 21 N-channel Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 175C ratedProduct Validation:Qualified fo

 7.1. Size:1333K  infineon
bsc027n06ls5.pdfpdf_icon

BSC027N10NS5

BSC027N06LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according to IEC61249-2-

 7.2. Size:376K  infineon
bsc027n04lsg.pdfpdf_icon

BSC027N10NS5

BSC027N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 2.7mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 9.1. Size:437K  infineon
bsc028n06ns.pdfpdf_icon

BSC027N10NS5

TypeBSC028N06NSOptiMOSTM Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 2.8 mW 100% avalanche testedID 100 A Superior thermal resistanceQoss 43 nC N-channelQG(0..10V) 37 nC Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Haloge

Другие MOSFET... AUIRF7769L2TR , AUIRF7799L2TR , AUIRF8736M2TR , AUIRF8739L2TR , AUIRFSA8409-7P , BF999 , BSC012N06NS , BSC025N08LS5 , IRF530 , BSC037N08NS5T , BSC079N03LSCG , BSC220N20NSFD , BSG0810NDI , BSZ018NE2LSI , BSZ068N06NS , BSZ100N06NS , BSZ15DC02KDH .

History: STL70N2LLH5 | 2SK1215 | SSM4924GM | KRF7379 | SLU2N65UZ | VBZE100N03 | PK615BMA

 

 
Back to Top

 


 
.