Справочник MOSFET. IAUA180N04S5N012

 

IAUA180N04S5N012 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IAUA180N04S5N012
   Маркировка: 5N04N012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-5

 Аналог (замена) для IAUA180N04S5N012

 

 

IAUA180N04S5N012 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:671K  infineon
iaua180n04s5n012.pdf

IAUA180N04S5N012
IAUA180N04S5N012

IAUA180N04S5N012OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.2mWID 180 AFeaturesPG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1

 9.1. Size:669K  infineon
iaua120n04s5n014.pdf

IAUA180N04S5N012
IAUA180N04S5N012

IAUA120N04S5N014OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 1.4mWID 120 AFeaturesPG-HSOF-5 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL3 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested1

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top