STD17N06L-1 - описание и поиск аналогов

 

STD17N06L-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD17N06L-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STD17N06L-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD17N06L-1 даташит

 ..1. Size:350K  1
 std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V

 5.1. Size:350K  st
 std17n05l std17n06l.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V

 6.1. Size:180K  1
 std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05 STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD17N05 50 V

 7.1. Size:180K  st
 std17n05.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05 STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD17N05 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD17N05-1 , STD17N05L , STD17N05L-1 , STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , IRF9640 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 .

History: STD17N06

 

 

 


 
↑ Back to Top
.