Справочник MOSFET. STD17N06L-1

 

STD17N06L-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD17N06L-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STD17N06L-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD17N06L-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  1
 std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 5.1. Size:350K  st
 std17n05l std17n06l.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 6.1. Size:180K  1
 std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 7.1. Size:180K  st
 std17n05.pdf pdf_icon

STD17N06L-1

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD17N05-1 , STD17N05L , STD17N05L-1 , STD17N05LT4 , STD17N05T4 , STD17N06 , STD17N06-1 , STD17N06L , AON7403 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 .

History: BS107PSTOA | IXFH32N50

 

 
Back to Top

 


 
.