Справочник MOSFET. IPB180P04P4-03

 

IPB180P04P4-03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB180P04P4-03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4070 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180P04P4-03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:313K  infineon
 ipb180p04p4-03.pdf pdf_icon

IPB180P04P4-03

Final Data Sheet IPB180P04P4-03OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct Summary VDS -40 V RDS(on) 2.8 mW ID -180 A Features P-channel - Normal Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) 100% Avalanche testedDrain Pin 4, Tab Gate Pin 1 Source Pi

 3.1. Size:172K  infineon
 ipb180p04p4l-02.pdf pdf_icon

IPB180P04P4-03

Final Data Sheet IPB180P04P4L-02OptiMOS-P2 Power-TransistorProduct SummaryV -40 VDSR 2.4mWDS(on),maxI -180 ADFeaturesPG-TO263-7-3 P-channel - Logic Level - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedDrain Intended for reverse battery pro

 8.1. Size:256K  infineon
 ipb180n10s4-03.pdf pdf_icon

IPB180P04P4-03

IPB180N10S4-03OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 100 VRDS(on) 3.3mWID 180 AFeatures N-channel - Normal Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N10S4-03 PG-TO263-7-3 4N1003Maximum ratin

 8.2. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180P04P4-03

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFU320A | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | MEN09N03BJ3 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.