Справочник MOSFET. STD2N50T4

 

STD2N50T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD2N50T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD2N50T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  1
std2n50 std2n50-1 std2n50t4.pdfpdf_icon

STD2N50T4

STD2N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD2N50 500 V

 7.1. Size:174K  st
std2n50.pdfpdf_icon

STD2N50T4

STD2N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD2N50 500 V

 9.1. Size:407K  1
std2na60 std2na60-1 std2na60t4.pdfpdf_icon

STD2N50T4

STD2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD2NA60 600 V

 9.2. Size:590K  st
std2nk90zt4.pdfpdf_icon

STD2N50T4

STP2NK90Z - STD2NK90ZSTD2NK90Z-1N-channel 900V - 5 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID PW(@Tjmax) 3312STD2NK90Z 900V

Другие MOSFET... STD17N06L-1 , STD17N06LT4 , STD17N06T4 , STD1NA60-1 , STD1NA60T4 , STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , 5N50 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 .

History: DMN10H120SFG | IRF7759L2TRPBF | TSM3446CX6 | FDS6930A | IRF3707SPBF | SI2342DS | APT1003RBLL

 

 
Back to Top

 


 
.